Präparation von Siliziumkarbid-Keramik-EBSD-Proben

Siliziumkarbid-Keramiken (SiC) zeichnen sich durch hervorragende Wärmeleitfähigkeit, Hochtemperaturbeständigkeit sowie Verschleiß- und Korrosionsbeständigkeit aus und finden breite Anwendung in der Halbleiterfertigung, der Photovoltaik, dem Wärmeschutz in der Luft- und Raumfahrt sowie der Hochtemperaturmetallurgie. Ihre Leistungsfähigkeit wird maßgeblich von der Kornmorphologie, den Korngrenzenbedingungen und den Eigenspannungen bestimmt.

Die EBSD-Analyse ist eine unverzichtbare Methode zur Charakterisierung von SiC und dient der Untersuchung von Kornorientierung, Textur und Mikrodefekten. Zuverlässige EBSD-Daten optimieren den Sinterprozess und beugen Bauteilausfällen vor. Eine präzise Probenpräparation ist entscheidend für den Erfolg der EBSD-Indexierung harter und spröder SiC-Keramiken. Standard-Schleifpapier ist für das Schleifen ungeeignet; Diamantscheiben und Vibrationspolieren sind erforderlich.

Unser SiC-EBSD-Präparationsverfahren:

1️⃣ Grobschleifen mit P400-Diamantscheibe zur Planarisierung

2️⃣ Feinschleifen: POS-Pad + 9 μm PD-WT-Diamantsuspension

3️⃣ Grobpolieren: SC-JP-Tuch + 3 μm PD-WT-Suspension

4️⃣ Zwischenpolitur: ZN-ZP-Tuch + AO-A439-Suspension

5️⃣ Abschließendes Vibrationspolieren: ZN-ZP-Tuch + AO-A439-Suspension