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Preparação de amostras de cerâmica de carbeto de silício por EBSD
As cerâmicas de carbeto de silício (SiC) apresentam excelente condutividade térmica, resistência a altas temperaturas, desgaste e corrosão, sendo amplamente utilizadas na fabricação de semicondutores, em energias fotovoltaicas, na proteção térmica aeroespacial e na metalurgia de altas temperaturas. Seu desempenho em serviço é determinado principalmente pela morfologia dos grãos, pelas condições dos contornos de grão e pela tensão residual.
A EBSD serve como um método de caracterização essencial para analisar a orientação dos grãos, a textura e os microdefeitos do SiC. Dados confiáveis de EBSD orientam a otimização da sinterização e evitam falhas nos componentes. A preparação precisa da amostra determina o sucesso da indexação por EBSD para cerâmicas de SiC duras e frágeis. Lixas comuns não são suficientes para o desbaste; discos diamantados e polimento vibratório são necessários.
Nosso procedimento de preparação de SiC por EBSD:
1️⃣ Desbaste com disco diamantado P400 para aplainamento
2️⃣ Retificação fina: almofada POS + suspensão de diamante PD-WT de 9 μm
3️⃣ Polimento grosseiro: pano SC-JP + suspensão PD-WT de 3 μm
4️⃣ Polimento intermediário: pano ZN-ZP + suspensão AO-A439
5️⃣ Polimento vibratório final: pano ZN-ZP + suspensão AO-A439
