Préparation d'échantillons EBSD en céramique de carbure de silicium

Les céramiques en carbure de silicium (SiC) présentent une conductivité thermique exceptionnelle, une résistance aux hautes températures, à l'usure et à la corrosion, ce qui explique leur large utilisation dans la fabrication de semi-conducteurs, le photovoltaïque, la protection thermique aérospatiale et la métallurgie des hautes températures. Leurs performances en service sont principalement déterminées par la morphologie des grains, les conditions aux joints de grains et les contraintes résiduelles.

La diffraction des électrons rétrodiffusés (EBSD) est une méthode de caractérisation essentielle pour analyser l'orientation des grains, la texture et les microdéfauts du SiC. Des données EBSD fiables permettent d'optimiser le frittage et d'éviter les défaillances des composants. La préparation précise des échantillons est déterminante pour la réussite de l'indexation EBSD des céramiques SiC dures et fragiles. Le ponçage classique ne suffit pas ; l'utilisation de disques diamantés et d'un polissage vibratoire est nécessaire.

Notre procédure de préparation pour l'analyse EBSD du SiC :

1️⃣ Ébauche de meulage avec un disque diamanté P400 pour la planarisation

2️⃣ Meulage fin : tampon POS + suspension diamantée PD-WT de 9 µm

3️⃣ Polissage grossier : tissu SC-JP + suspension PD-WT de 3 µm

4️⃣ Polissage intermédiaire : chiffon ZN-ZP + suspension AO-A439

5️⃣ Polissage vibratoire final : tissu ZN-ZP + suspension AO-A439