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Las cerámicas de carburo de silicio (SiC) presentan una conductividad térmica excepcional, resistencia a altas temperaturas, al desgaste y a la corrosión, y se utilizan ampliamente en la fabricación de semiconductores, la energía fotovoltaica, la protección térmica aeroespacial y la metalurgia de alta temperatura. Su rendimiento depende principalmente de la morfología del grano, las condiciones de los límites de grano y las tensiones residuales.
La difracción de electrones retrodispersados (EBSD) es un método de caracterización esencial para analizar la orientación del grano, la textura y los microdefectos del SiC. Los datos EBSD fiables permiten optimizar la sinterización y evitar fallos en los componentes. La preparación precisa de la muestra determina el éxito de la indexación EBSD en cerámicas de SiC duras y frágiles. Las lijas estándar no son eficaces; se requieren discos de diamante y pulido vibratorio.
Nuestro procedimiento de preparación para EBSD de SiC:
1️⃣ Desbaste con disco de diamante P400 para planarización
2️⃣ Molienda fina: almohadilla POS + suspensión de diamante PD-WT de 9 μm
3️⃣ Pulido basto: paño SC-JP + suspensión PD-WT de 3 μm
4️⃣ Pulido intermedio: paño ZN-ZP + suspensión AO-A439
5️⃣ Pulido vibratorio final: paño ZN-ZP + suspensión AO-A439