Подготовка образцов керамики из карбида кремния для EBSD-анализа

Керамика на основе карбида кремния (SiC) обладает выдающейся теплопроводностью, термостойкостью, износостойкостью и коррозионной стойкостью, что делает её широко используемой в полупроводниковом производстве, фотоэлектрических системах на новых источниках энергии, теплозащите в аэрокосмической отрасли и высокотемпературной металлургии. Её эксплуатационные характеристики определяются морфологией зерен, состоянием границ зерен и остаточными напряжениями.

Метод EBSD является важным методом характеризации для анализа ориентации зерен, текстуры и микродефектов SiC. Надежные данные EBSD помогают оптимизировать процесс спекания и предотвратить отказы компонентов. Точная подготовка образцов определяет успешность индексации EBSD для твердой и хрупкой керамики SiC. Стандартная наждачная бумага не подходит для шлифовки; необходимы алмазные диски в сочетании с вибрационной полировкой.

Наша процедура подготовки образцов SiC для EBSD-анализа:

1️⃣ Грубая шлифовка алмазным диском P400 для выравнивания поверхности.

2️⃣ Тонкая шлифовка: POS-пластина + алмазная подвеска PD-WT 9 мкм

3️⃣ Грубая полировка: ткань SC-JP + суспензия PD-WT 3 мкм

4️⃣ Промежуточная полировка: ткань ZN-ZP + суспензия AO-A439

5️⃣ Финальная вибрационная полировка: ткань ZN-ZP + подвеска AO-A439