碳化矽陶瓷EBSD樣品製備

碳化矽（SiC）陶瓷具有優異的導熱性、耐高溫性、耐磨性和耐腐蝕性，廣泛應用於半導體製造、新能源光伏、航空航太熱防護和高溫冶金等領域。其使用性能主要受晶粒形貌、晶界條件及殘餘應力的影響。

電子背散射衍射（EBSD）是分析碳化矽（SiC）晶粒取向、織構和微缺陷的重要表徵方法。可靠的EBSD數據能夠指導燒結製程最佳化，避免零件失效。對於硬脆性碳化矽陶瓷，精確的樣品製備是EBSD標定成功與否的關鍵。普通砂紙無法有效研磨樣品；需要使用鑽石砂輪並結合振動拋光。

我們的SiC EBSD製備流程：

1️⃣ 使用 P400 鑽石砂輪進行粗磨，以實現平面化

2️⃣ 精細研磨：POS 研磨墊 + 9μm PD-WT 鑽石懸浮液

3️⃣ 粗拋光：SC-JP 布 + 3μm PD-WT 懸浮液

4️⃣ 中級拋光：ZN-ZP 拋光布 + AO-A439 懸浮液

5️⃣ 最終振動拋光：ZN-ZP 布 + AO-A439 懸浮液