碳化矽晶片

目的觀察碳化矽（SiC）晶片的橫斷面微觀結構。與第一代矽基半導體相比， SiC具有優異的電學性能，例如耐高壓、耐高溫、寬帶隙和高導熱性，使其成為第三代半導體的核心材料。它廣泛應用於新能源汽車動力裝置、光伏和軌道運輸等領域。然而，SiC的高硬度和脆性為金相樣品製備帶來了挑戰。樣品需經過冷鑲嵌（TJ2226冷固化樹脂）、研磨/拋光（Alpha610）以及五步驟研磨/拋光製程。

基本指南：

安裝：使用高邊緣保持性冷固化樹脂（例如，TJ2226）。

研磨： 1.開始使用P400 DiaRe樹脂結合鑽石研磨盤進行研磨，直到達到目標觀察區域。

2.繼續使用POS砂輪+9微米鑽石拋光懸浮液進行研磨。

3.每次研磨步驟後，都要清洗樣品、樣品架和雙手。

拋光： 1.拋光前，請清潔拋光布、樣品架和雙手。每完成一個步驟後，請重複清潔。

2.不要將不同磨料粒徑的拋光盤混用。

3.用酒精沖洗樣本表面，然後用吹風機吹乾以去除水分殘留。

4.每次拋光步驟後，在金相顯微鏡下檢查，確保刮痕大小與磨料粒度相匹配，方向隨機。

5.使用後，用流水和軟刷清洗拋光布，然後風乾。

6.專用於SiC晶片的拋光布，僅用於此類樣品。