Кремниевая пластина из карбида кремния

Цель ： Изучение микроструктуры поперечного сечения пластин карбида кремния (SiC). По сравнению с полупроводниками первого поколения на основе кремния, SiC обладает превосходными электрическими свойствами, такими как высокое сопротивление напряжению, высокая термостойкость, широкая запрещенная зона и высокая теплопроводность, что делает его основным материалом для полупроводников третьего поколения. Он широко используется в силовых устройствах электромобилей, фотовольтаике и железнодорожном транспорте. Однако высокая твердость и хрупкость SiC создают проблемы при подготовке металлографических образцов. Образцы подвергаются холодной фиксации (смола холодного отверждения TJ2226), шлифованию/полировке (Alpha610) и пятиступенчатому процессу шлифования/полировки.

Основное руководство :

Монтаж : Используйте смолу холодного отверждения с высокой стойкостью к смещению кромки (например, TJ2226).

Шлифовка : 1. Начните шлифовку алмазным шлифовальным диском P400 DiaRe на смоляной связке до достижения целевой зоны наблюдения.

2. Продолжите шлифовку с помощью диска POS + полировальной суспензии с алмазным наполнителем 9 мкм.

3. После каждого этапа измельчения очищайте образец, держатель образца и руки.

Полировка : 1. Перед полировкой очистите полировальную ткань, держатель образца и руки. Повторяйте очистку после каждого этапа.

2. Не смешивайте полировальные диски с абразивными частицами разного размера .

3. Промойте поверхность образца спиртом и высушите с помощью фена, чтобы удалить остатки воды.

4. После каждого этапа полировки проводите осмотр под металлографическим микроскопом, чтобы убедиться, что размер царапин соответствует зернистости абразива и направление царапин является случайным.

5. После использования промойте полировочные салфетки проточной водой и мягкой щеткой, затем дайте им высохнуть на воздухе.

6. Используйте для таких образцов исключительно полировальные салфетки, предназначенные для кремниевых пластин.