تحضير عينات سيراميك كربيد السيليكون بتقنية حيود الإلكترونات المشتتة عكسيًا

تتميز سيراميكات كربيد السيليكون (SiC) بموصلية حرارية فائقة، ومقاومة عالية للحرارة، ومقاومة للتآكل والصدأ، وتُستخدم على نطاق واسع في صناعة أشباه الموصلات، وأنظمة الطاقة الشمسية الكهروضوئية، والحماية الحرارية في مجال الطيران، وعلم المعادن عالي الحرارة. ويتأثر أداؤها التشغيلي بشكل كبير ببنية الحبيبات، وظروف حدودها، والإجهاد المتبقي.

يُعدّ تحليل حيود الإلكترونات المشتتة عكسيًا (EBSD) أسلوبًا أساسيًا لتوصيف وتحليل اتجاه الحبيبات، والنسيج، والعيوب المجهرية في كربيد السيليكون (SiC). وتُسهم بيانات EBSD الموثوقة في تحسين عملية التلبيد وتجنب فشل المكونات. ويُعدّ تحضير العينة بدقة عاملًا حاسمًا في نجاح فهرسة EBSD لسيراميك كربيد السيليكون الصلب والهش. وتفشل أوراق الصنفرة العادية في عملية التجليخ، لذا يُفضّل استخدام أقراص الماس بالإضافة إلى التلميع الاهتزازي.

إجراءات تحضير عينات SiC EBSD الخاصة بنا:

1️⃣ عملية تجليخ خشنة باستخدام قرص ماسي P400 لتسوية السطح

2️⃣ الطحن الدقيق: وسادة نقاط البيع + معلق ماسي PD-WT بحجم 9 ميكرومتر

3️⃣ التلميع الخشن: قماش SC-JP + معلق PD-WT بحجم 3 ميكرومتر

4️⃣ التلميع المتوسط: قطعة قماش ZN-ZP + معلق AO-A439

5️⃣ التلميع الاهتزازي النهائي: قماش ZN-ZP + معلق AO-A439