Silisyum karbür seramik EBSD numunelerinin hazırlanması

Silisyum karbür (SiC) seramikleri, olağanüstü ısı iletkenliği, yüksek sıcaklık direnci, aşınma ve korozyon direnci özelliklerine sahip olup, yarı iletken üretiminde, yeni enerji fotovoltaik sistemlerinde, havacılık ve uzay termal korumasında ve yüksek sıcaklık metalurjisinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Hizmet performansları, tane morfolojisi, tane sınır koşulları ve artık gerilme tarafından belirlenir.

EBSD, SiC'nin tane yönelimini, dokusunu ve mikro kusurlarını analiz etmek için temel bir karakterizasyon yöntemidir. Güvenilir EBSD verileri, sinterleme optimizasyonuna rehberlik eder ve bileşen arızasını önler. Hassas numune hazırlığı, sert ve kırılgan SiC seramikleri için EBSD indeksleme başarısını belirler. Standart zımpara kağıtları taşlamada başarısız olur; elmas diskler ve titreşimli parlatma gereklidir.

SiC EBSD Hazırlama Prosedürümüz:

1️⃣ Düzleştirme için P400 elmas disk ile kaba taşlama

2️⃣ İnce taşlama: POS pedi + 9 μm PD-WT elmas süspansiyonu

3️⃣ Kaba parlatma: SC-JP bez + 3μm PD-WT süspansiyonu

4️⃣ Ara parlatma: ZN-ZP bez + AO-A439 süspansiyon

5️⃣ Son titreşimli parlatma: ZN-ZP bez + AO-A439 süspansiyon