矽片橫斷面製備：最大限度減少損傷以揭示真實結構

矽晶片質地堅硬且易碎，因此橫斷面製備過程中極易出現邊緣崩裂、微裂紋和亞表面損傷。這些製備過程中產生的缺陷會影響後續的光學顯微鏡和掃描電子顯微鏡分析。

因此，嚴格控制製備過程至關重要。

對於此矽片橫截面，製備過程包括：

• DiaRe P120–P400 鑽石磨盤，用於平面磨削

• POS 剛性精細研磨盤 + 9 μm PD-WT 多晶鑽石懸浮液

• SC 絲光拋光布 + 3 μm PD-WT 多晶鑽石懸浮液

• ZN聚氨酯拋光布 + 0.05 μm SO-A439膠體二氧化矽懸浮液，用於最終拋光

早期階段採用鑽石研磨有助於維持表面平整度，同時降低對脆性矽材料造成損傷的風險。最後使用膠體二氧化矽進行拋光，可進一步去除殘留的表面損傷，並獲得潔淨的橫截面，以便進行可靠的顯微鏡觀察。

良好的矽片製備不僅僅是獲得鏡面效果，而是要保持材料的真實狀態。