Präparation von Siliziumwafer-Querschnitten: Minimierung von Beschädigungen zur Freilegung der wahren Struktur
Siliziumwafer sind hart und spröde, wodurch die Präparation von Querschnitten besonders anfällig für Kantenabsplitterungen, Mikrorisse und Beschädigungen im Untergrund ist. Diese präparationsbedingten Artefakte können die nachfolgende optische Mikroskopie und REM-Analyse beeinträchtigen.
Ein kontrollierter Vorbereitungsprozess ist daher unerlässlich.
Für diesen Siliziumwafer-Querschnitt umfasste der Präparationsprozess Folgendes:
• DiaRe P120–P400 Diamantschleifscheiben für Planschleifen
• POS-Feinschleifscheibe mit starrer Oberfläche + 9 μm PD-WT-Polykristallin-Diamantsuspension
• SC-Seidenpoliertuch + 3 μm PD-WT polykristalline Diamantsuspension
• ZN-Polyurethan-Poliertuch + 0,05 μm SO-A439 kolloidale Kieselsäuresuspension zum abschließenden Polieren
Die Verwendung von Diamantschleifpapier in den frühen Bearbeitungsphasen trägt zur Erhaltung der Planheit bei und verringert gleichzeitig das Risiko einer Beschädigung des spröden Siliziums. Das abschließende Polieren mit kolloidalem Siliciumdioxid entfernt weitere Oberflächenschäden und erzeugt einen sauberen Querschnitt für eine zuverlässige mikroskopische Untersuchung.
Bei der Präparation von Siliziumwafern geht es nicht nur darum, eine spiegelglatte Oberfläche zu erzielen, sondern vor allem darum, den wahren Zustand des Materials zu erhalten.
