Preparação da seção transversal de wafers de silício: minimizando danos para revelar a estrutura real.

As lâminas de silício são duras e quebradiças, o que torna a preparação da seção transversal particularmente sensível a lascas nas bordas, microfissuras e danos subsuperficiais. Esses artefatos induzidos pela preparação podem afetar as análises subsequentes por microscopia óptica e MEV (microscopia eletrônica de varredura).

Um processo de preparação controlado é, portanto, essencial.

Para esta secção transversal de uma pastilha de silício, o processo de preparação incluiu:

• Discos de retificação diamantados DiaRe P120–P400 para retificação plana

• Disco de desbaste fino rígido POS + suspensão de diamante policristalino PD-WT de 9 μm

• Pano de polimento de seda SC + suspensão de diamante policristalino PD-WT de 3 μm

• Pano de polimento de poliuretano ZN + suspensão de sílica coloidal SO-A439 de 0,05 μm para polimento final

O uso de retificação com diamante nas etapas iniciais ajuda a manter a planicidade, reduzindo o risco de danos ao silício frágil. O polimento final com sílica coloidal remove ainda mais os danos superficiais residuais e produz uma seção transversal limpa para um exame microscópico confiável.

Uma boa preparação de wafers de silício não se resume a obter um acabamento espelhado — trata-se de preservar a condição real do material.