Metallographische Untersuchung des Querschnitts eines Chipgehäuses
Die metallografische Untersuchung von Chipgehäuse-Querschnitten ist eine Kerntechnologie für die Fehleranalyse und Qualitätskontrolle von Gehäusen. Durch die Herstellung von Querschnittsproben mittels präzisen gerichteten Schneidens, Schleifens, Polierens und chemischer Behandlung wird die interne Verbindungsstruktur mikroskopisch direkt sichtbar gemacht. Sie dient hauptsächlich der genauen Bestimmung der Abmessungen und Koplanarität von Verbindungselementen wie Lötperlen und Kupfersäulen; der Untersuchung des Haftzustands zwischen Chips und Substraten zur Identifizierung von Defekten wie Delaminationen, Lunker und Rissen; der Diagnose von Prozessproblemen bei der Galvanisierung, dem Schweißen und anderen Verfahren; sowie der Lokalisierung von Fehlerstellen und der Analyse der physikalischen Ausfallmechanismen, die durch thermomechanische Spannungen, Elektromigration usw. nach Zuverlässigkeitsprüfungen oder Bauteilausfällen verursacht werden. Diese Technologie liefert intuitive, hochauflösende Querschnittsinformationen für die Entwicklung fortschrittlicher Gehäuseprozesse, die Fehlersuche und die Sicherstellung der Zuverlässigkeit und ist daher unverzichtbar.
Das traditionelle Präparationsverfahren für Querschnitte folgt dem Prinzip des schrittweisen Schleifens unter ständiger Kontrolle. Zur Beobachtung des Schleifprozesses wird die Verwendung des hochauflösenden Stereomikroskops TROJAN MTV03 empfohlen.
Spezifische Vorgehensweisen:
● Verwenden Sie Schleifpapier der Körnung P400, um schnell einen Teil des Materials abzutragen und sich der Zielposition anzunähern.
● Mit P800-Schleifpapier schleifen und aufhören, sobald die Lötperlen unter Beobachtung freigelegt sind.
● Mit P1200-Schleifpapier präzise schleifen, um die Oberfläche zu ebnen, alle Lötperlen auf die gleiche Ebene polieren und bis zur halben Durchmesserposition der Lötperlen abschleifen.
● Verwenden Sie Schleifpapier der Körnung P2500 für feines Schleifen, um Kratzer aus dem vorherigen Arbeitsschritt zu entfernen.
● Grobpolieren mit SC-JP Poliertuch + 1μm PD-WT Poliersuspension.
● Abschließende Politur mit ZN-ZP Poliertuch + 50nm AO-W Poliersuspension.
