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Inspeção metalográfica de seccionamento transversal de encapsulamento de chips
A inspeção metalográfica de seções transversais de encapsulamento de chips é uma tecnologia essencial para a análise de falhas e o controle de qualidade. Através da preparação de amostras de seção transversal por meio de corte direcional preciso, retificação, polimento e tratamento químico, a estrutura de interconexão interna é observada diretamente por meio de tecnologia microscópica. É utilizada principalmente para: avaliar com precisão as dimensões e a coplanaridade de unidades de interconexão, como esferas de solda e pilares de cobre; inspecionar o estado de ligação interfacial entre chips e substratos para identificar defeitos, incluindo delaminação, vazios e trincas; diagnosticar problemas de processo em galvanoplastia, soldagem e outros procedimentos; e localizar pontos de falha e analisar os mecanismos físicos de falha causados por estresse termomecânico, eletromigração, etc., após testes de confiabilidade ou falha de componentes. Essa tecnologia fornece informações intuitivas e de alta resolução sobre a seção transversal para o desenvolvimento de processos de encapsulamento avançados, solução de problemas de defeitos e garantia de confiabilidade, sendo, portanto, indispensável.
O método tradicional de preparação para corte transversal segue o princípio de moagem gradual e inspeção em tempo real. Recomenda-se o uso do microscópio estereoscópico de alta definição TROJAN MTV03 para observar o processo de moagem.
Procedimentos específicos:
● Use lixa de grão P400 para remover rapidamente uma porção do material até atingir a posição desejada.
● Lixe com lixa de grão P800 e pare quando as esferas de solda estiverem expostas sob observação.
● Esmerilhar com precisão usando lixa de grão P1200 para aplainar a superfície, polir todas as esferas de solda até o mesmo plano e esmerilhar até a metade do diâmetro das esferas de solda.
● Use lixa de grão P2500 para um desbaste fino, a fim de remover os riscos da etapa anterior.
● Polimento grosseiro com pano de polimento SC-JP + suspensão de polimento PD-WT de 1 μm.
● Polimento final com pano de polimento ZN-ZP + suspensão de polimento AO-W de 50 nm.
