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La inspección metalográfica de secciones transversales de encapsulados de chips es una tecnología fundamental para el análisis de fallos y el control de calidad. Mediante la preparación de muestras de sección transversal a través de corte direccional preciso, rectificado, pulido y tratamiento químico, se observa directamente la estructura de interconexión interna mediante tecnología microscópica. Se utiliza principalmente para: evaluar con precisión las dimensiones y la coplanaridad de las unidades de interconexión, como las esferas de soldadura y los pilares de cobre; inspeccionar el estado de unión interfacial entre chips y sustratos para identificar defectos como delaminación, huecos y grietas; diagnosticar problemas de proceso en galvanoplastia, soldadura y otros procedimientos; y localizar puntos de fallo y analizar los mecanismos de fallo físico causados por estrés termomecánico, electromigración, etc., tras pruebas de fiabilidad o fallos de componentes. Esta tecnología proporciona información intuitiva y de alta resolución de la sección transversal para el desarrollo de procesos de encapsulado avanzados, la resolución de problemas de defectos y la garantía de fiabilidad, por lo que resulta indispensable.
El método tradicional de preparación de secciones transversales sigue el principio de pulido gradual e inspección en tiempo real. Se recomienda utilizar el microscopio estereoscópico de alta definición TROJAN MTV03 para observar el estado del pulido.
Procedimientos específicos:
● Utilice papel de lija de grano P400 para eliminar rápidamente una parte del material y acercarse a la posición deseada.
● Lije con papel de lija de grano P800 y deténgase cuando las bolas de soldadura queden expuestas a simple vista.
● Lijar con precisión con papel de lija de grano P1200 para aplanar la superficie, pulir todas las bolas de soldadura hasta que queden en el mismo plano y lijar hasta la mitad del diámetro de las bolas de soldadura.
● Utilice papel de lija de grano P2500 para un lijado fino y así eliminar los arañazos del paso anterior.
● Pulido basto con paño de pulido SC-JP + suspensión de pulido PD-WT de 1 μm.
● Pulido final con paño de pulido ZN-ZP + suspensión de pulido AO-W de 50 nm.