Preparação de amostras metalográficas para chips à base de silício

Os chips à base de silício são a base dos semicondutores, amplamente utilizados em eletrônicos de consumo, novas energias, controles industriais, chips automotivos, dispositivos inteligentes de IA e muito mais. Os pads dos chips servem como estruturas críticas para a embalagem dos componentes e a interconexão dos pinos, desempenhando funções essenciais, incluindo a condução do circuito e a transmissão de sinais. A integridade estrutural dos pads influencia diretamente o rendimento da embalagem e a confiabilidade do dispositivo a longo prazo.

Em processos de fabricação de precisão em micro e nanoescala, os pads são propensos a microdefeitos. Portanto, o corte metalográfico transversal dos pads tornou-se um procedimento essencial para o controle de qualidade e análise de falhas na embalagem de chips.

A inspeção metalográfica microscópica permite a detecção precisa de vazios nas almofadas de contato, espessura irregular do revestimento, delaminação da interface, danos por corrosão e outras falhas, facilitando a resolução eficiente de problemas relacionados a defeitos no processo de encapsulamento. O corte e a inspeção precisos das almofadas de contato fornecem suporte técnico essencial para a condução estável do circuito do chip, melhoria da qualidade do encapsulamento e redução dos riscos de falha do dispositivo.

A seguir, apresentamos o fluxo de trabalho de preparação metalográfica para observação da seção transversal da almofada de contato do chip, para sua referência:

●   Desbaste inicial até a profundidade desejada com lixa P1200. Desbaste fino sequencialmente com lixas P2500 e P4000.

●   Polimento grosseiro: pano SC-JP + suspensão de diamante policristalino PD-WT de 3 μm

●   Polimento intermediário: pano ET-JP + suspensão de alumina AO-W de 0,05 μm

● Polimento final espelhado: pano ZN + suspensão de polimento de sílica SO-T401