肖特基二極體金相製備

肖特基二極體基於金屬-半導體結形成的肖特基勢壘，透過多數載子導電，而沒有少數載子儲存效應。其核心優勢包括超低正向壓降（0.2–0.45V）、極快的開關速度（奈秒）和低功耗。

正向偏壓時，勢壘降低，電子快速傳導；反向偏壓時，勢壘升高，有效控制漏電流。

憑藉優異的性能，它們被廣泛應用於低電壓、高頻場景：開關電源和DC-DC轉換器中的整流和續流，以提高效率並減少發熱；射頻電路中的檢測和混頻器件，適用於5G和微波通信；也用於光伏防反充、電池防反接、汽車車載電腦、LED驅動器等。

未來，諸如碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶材料將突破矽基元件的電壓和溫度瓶頸。碳化矽肖特基二極體已廣泛應用於新能源汽車和高壓光伏逆變器。隨著裝置朝向高壓、高溫和整合化方向發展，國產替代進程正在加速，快速充電、資料中心、智慧電網等領域的需求日益增長，展現出廣闊的市場前景。