Descubra la verdad sobre los materiales: 21 años de experiencia como fabricante mundial de equipos y consumibles metalográficos.
Preparación metalográfica del diodo Schottky
Basándose en la unión metal-semiconductor que forma una barrera Schottky, los diodos Schottky conducen la electricidad a través de portadores mayoritarios sin efecto de almacenamiento de portadores minoritarios. Sus principales ventajas incluyen una caída de tensión directa ultrabaja (0,2–0,45 V), una velocidad de conmutación extremadamente rápida (nivel de nanosegundos) y bajas pérdidas de potencia.
Cuando se aplica una polarización directa, la barrera disminuye para permitir una conducción rápida de los electrones; cuando se aplica una polarización inversa, la barrera aumenta para controlar eficazmente la corriente de fuga.
Con un rendimiento excelente, se utilizan ampliamente en escenarios de baja tensión y alta frecuencia: rectificación y circulación libre en fuentes de alimentación conmutadas y convertidores CC-CC para mejorar la eficiencia y reducir la generación de calor; dispositivos de detección y mezcla en circuitos de RF, adaptándose a las comunicaciones 5G y de microondas; también se utilizan en la protección contra la carga inversa fotovoltaica, la protección contra la conexión inversa de baterías, OBC para automóviles, controladores LED, etc.
En el futuro, los materiales de banda prohibida ancha, como el SiC y el GaN, superarán las limitaciones de voltaje y temperatura de los dispositivos basados en silicio. Los diodos Schottky de SiC se han aplicado ampliamente en vehículos de nueva energía e inversores fotovoltaicos de alto voltaje. A medida que los dispositivos evolucionan hacia alto voltaje, alta temperatura e integración, la sustitución nacional se acelera, con una creciente demanda en carga rápida, centros de datos, redes inteligentes y otros campos, lo que augura amplias perspectivas de mercado.
